第三届N型晶硅电【diàn】池与钝化接触【chù】技术论坛将于2018年【nián】12月9-21日在江苏【sū】常州【zhōu】召开。来自新南威尔士大【dà】学(UNSW)的专家【jiā】将参会并作重要报告，介绍【shào】N型硅【guī】的效率【lǜ】提升及光【guāng】衰【shuāi】研究【jiū】。
UNSW研【yán】究表明，通过【guò】选择性杂质【zhì】工程处理，可以将低质量n-型硅【guī】片的开路【lù】电压从650 mV提高到730 mV。UNSW将在报告中介【jiè】绍吸杂和氢钝化的影响效【xiào】果以【yǐ】及创【chuàng】造低质量【liàng】低【dī】成本硅太阳能电池的潜能。
在已完成的n-型硅异质结电池生产中【zhōng】，UNSW通【tōng】过提升【shēng】载流子运输和【hé】表面钝【dùn】化来进一步提升异【yì】质【zhì】结电池效率。UNSW研究【jiū】表明，他们将异质结电池【chí】效率【lǜ】绝【jué】对值提升了【le】高【gāo】达0.7%，这一提高采用了其正【zhèng】在审批的关于【yú】SHJ结【jié】构的【de】新【xīn】专利中的流程。此外，该技术还可【kě】以将n-PERT太阳能电池的效率绝【jué】对值【zhí】提升0.3%-0.5%。
n-型【xíng】硅太阳能【néng】电池由【yóu】于【yú】不【bú】受光衰影响而广受赞誉。然而，UNSW在近期对【duì】晶【jīng】硅材料【liào】的热辅助光衰(LeTID)研【yán】究中，发现这些杂质也【yě】许也会在n-型硅中出现。通【tōng】过控制烧【shāo】结条件和扩散【sàn】发射极【jí】层，UNSW找到了在n-型【xíng】硅【guī】中诱导和调整光热衰变缺陷的方法。基于这些【xiē】方法，他们将在报【bào】告中【zhōng】讨论这些发现【xiàn】对于n-型和【hé】p-型晶体硅的技术发展意义【yì】。
