9-21，中【zhōng】国科学院公【gōng】布【bù】了2017年新增院士名单。浙江大学材料科学【xué】与工【gōng】程【chéng】学院教授杨【yáng】德仁当【dāng】选中国【guó】科学院院士，他【tā】也成【chéng】为【wéi】中国光伏届获得科学院院士的第一人。
杨【yáng】德仁【rén】教授【shòu】长期从事超大规模集成电路用硅【guī】单晶材料、太阳能光【guāng】伏硅材料、硅基【jī】光电子材料及器件、纳米硅及纳米半【bàn】导【dǎo】体【tǐ】材料等研究工作。提出了掺氮控【kòng】制极大规模集成电路用【yòng】直拉【lā】硅单晶微缺【quē】陷【xiàn】的思【sī】路【lù】，系统【tǒng】解决【jué】了【le】氮关缺陷的基础科【kē】学问【wèn】题，促【cù】进了其在【zài】国际【jì】上的广泛应用；提出了微量【liàng】掺锗控制晶【jīng】格畸变的思路，发明了微【wēi】量掺锗硅晶【jīng】体【tǐ】生长系列技术【shù】，系统解决了相关硅晶体【tǐ】的【de】基【jī】础科学问题【tí】，实现了实际应用；研究了纳米硅等的制备、结【jié】构【gòu】和性能，成功制【zhì】备出纳米硅【guī】管等新型纳米半导体材料，为其器【qì】件研究和应【yīng】用提【tí】供了材料基【jī】础【chǔ】。发【fā】表SCI论文680余篇，参编英文著作5部，授权国家发明专利【lì】130余项。
杨德仁，男，汉族，1964年【nián】4月出【chū】生，江苏扬【yáng】州【zhōu】人，1983年11月【yuè】加入中国共产党【dǎng】，1991年6月参加工作，浙江【jiāng】大学【xué】半导体【tǐ】材料专业毕业【yè】，研【yán】究生学历，博士。现为浙江【jiāng】大学材料科学【xué】与工【gōng】程【chéng】学院教授，浙江大学硅材料【liào】国家重点实验室【shì】主任，博【bó】士生导师。2017年当选为中国科学院院士。
1981年9月至1991年6月为浙江大学材料科学【xué】与工程学院（系）本【běn】科【kē】、硕【shuò】士和博士研【yán】究生。1993年浙江大学材料科学与【yǔ】工程【chéng】博士后流动站【zhàn】出站【zhàn】，晋升【shēng】副【fù】教授，其间在【zài】日本东北大学金【jīn】属材【cái】料研究所访问研究。1995年【nián】初赴德国FREIBERG工【gōng】业大学工作，1997年5月被浙【zhè】江大【dà】学特【tè】批晋升【shēng】教授，1998年初回国在浙江大学工作。
2000年受聘教育部长江学【xué】者奖励【lì】计划特聘教授，2002年获国家杰出【chū】青年科【kē】学基金【jīn】，2011年获【huò】评浙江省【shěng】特级专家，2007年和2013年担【dān】任两期“硅基光电子发光【guāng】材料与【yǔ】器件”领【lǐng】域的973项目【mù】首席科学家，2017年获国家【jiā】自然科学基金委创【chuàng】新研【yán】究【jiū】群体项目。2008年【nián】至今【jīn】兼任【rèn】国【guó】家重大【dà】科技专项（02）专家组【zǔ】成员。
1998年起，先后任硅【guī】材料国【guó】家重点实验【yàn】室副主任、主任；2003年【nián】起，先后兼任【rèn】半【bàn】导体材料【liào】研究所副所长、所【suǒ】长。
作为第一完成人，曾获国家自然科学【xué】奖二等奖2项、省【shěng】部级【jí】科【kē】技【jì】一【yī】等【děng】奖4项。获全国五【wǔ】一劳动奖章，中国【guó】青年科【kē】技奖，全国优秀科技工【gōng】作者，浙江省“十大时代【dài】先锋”等荣誉。
来源：光伏时代
