一文通PECVD工序工艺
PECVD目【mù】的【de】在硅片表【biǎo】面沉积一层氮【dàn】化【huà】硅【guī】减反射膜【mó】，以增加入射在硅片上的光【guāng】的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中【zhōng】附加了氢【qīng】的钝化作用。镀【dù】膜原理光照射在【zài】硅片表面【miàn】时，反射会使光损失约三分之【zhī】一。如【rú】果在硅表面有【yǒu】一层或多
PECVD目【mù】的【de】在硅片表【biǎo】面沉积一层氮【dàn】化【huà】硅【guī】减反射膜【mó】，以增加入射在硅片上的光【guāng】的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中【zhōng】附加了氢【qīng】的钝化作用。镀【dù】膜原理光照射在【zài】硅片表面【miàn】时，反射会使光损失约三分之【zhī】一。如【rú】果在硅表面有【yǒu】一层或多