PECVD目的

在硅片【piàn】表【biǎo】面沉【chén】积一层氮化硅减反射膜,以增加入【rù】射在硅片上的光的透射【shè】,减少反【fǎn】射,氢原子【zǐ】搀杂【zá】在氮化硅中附加了氢【qīng】的【de】钝化作用。

镀膜原理

光照【zhào】射在硅片表面时,反射会使光损失约三分之【zhī】一。如果在硅表【biǎo】面有【yǒu】一层或多【duō】层合适的薄膜【mó】,利用薄膜干涉原理,可以【yǐ】使光【guāng】的【de】反射【shè】大【dà】为【wéi】减少【shǎo】,这【zhè】种膜称为太阳电池的【de】减反射膜(ARC,antireflection coating)。

管式PECVD的【de】原理就是通过脉冲射【shè】频【pín】激发受热的稀薄气体进行辉【huī】光放【fàng】电形成等【děng】离子【zǐ】体【tǐ】,通过两【liǎng】片相对应的石墨片加【jiā】相反的交变电压使等离【lí】子在极【jí】板间加速撞击气【qì】体,运动到硅片表面【miàn】完成镀膜【mó】过程。


三、镀膜的相关介绍

1、机台照片与工作原理图


2、等离子体

所谓等离子体,是指气体在一定条【tiáo】件下受【shòu】到高【gāo】能【néng】激发【fā】,发生电离,部分外【wài】层电子脱离原【yuán】子核,形成电【diàn】子、正离子和中性粒子混合组成【chéng】的一种形【xíng】态【tài】,这种形态就称【chēng】为【wéi】等离子【zǐ】态。


等离子体在化学气相沉积中有如下作用:

(1).将【jiāng】反应物中的气【qì】体【tǐ】分子【zǐ】激活成活性离【lí】子【zǐ】,降低反应所需的温度;

(2).加速【sù】反应物在基片表面【miàn】的扩散作用【yòng】(表面迁移作【zuò】用【yòng】),提高成膜速度;

(3).对于基体【tǐ】表面及膜层表面具【jù】有溅射清洗作用,溅射【shè】掉【diào】那些结合不牢的粒子【zǐ】,从而【ér】加强了形【xíng】成的薄膜和【hé】基【jī】片的【de】附着力;

(4).由于反应【yīng】物中的【de】原子、分子、离子和【hé】电【diàn】子【zǐ】之间的碰撞、散射【shè】作用,使形成的薄膜厚度均匀

3、镀膜的方式分类

间接【jiē】等离子:等离子没有直【zhí】接和【hé】硅片接【jiē】触,基片不接【jiē】触激发【fā】电极( Roth&Rau)

直接等【děng】离子:等【děng】离【lí】子直接接触硅片【piàn】,基【jī】片位于一个电极上,直接接触等【děng】离子体【tǐ】( Centrotherm 、岛津)


四、影响镀膜效果的主要参数

影响镀膜效果主要的机器本身工艺参数有:

(1).镀膜工艺时候真空压力

(2).镀膜工艺温度

(3).镀膜工艺


气体流量比

(4).镀膜工艺


总气体流量

(5).射频功率以及脉冲开关时间

(6).等离子体的沉积方向

由于管式PECVD 是直接【jiē】镀膜过程,镀膜效果会受【shòu】到很【hěn】多外界因素的干【gàn】扰,

并且这些干扰对膜的质量产生很严重的影响;

(1).石墨舟本身的使用状况

(2).硅片表面形貌的差异

管式PECVD 镀膜的各工艺参数具体控制范围

1.镀膜工艺时候真空压力

真空压力对镀膜速【sù】率而言很【hěn】重要,是成膜较为【wéi】关键的【de】因素,目【mù】前在尚德镀膜

工艺保持稳定的情况下,管式PECVD 的真空压力为;

156 多晶:1700 mTorr ,大【dà】约相当于226.65 Pa。

125 单晶【jīng】:1700 mTorr ,大约相当于【yú】226.65 Pa。

2.镀膜工艺温度

管式PECVD 工艺时温度为430℃--450℃


5.射频功率以及脉冲开关时间

射频功率【lǜ】也是【shì】影响镀膜成膜【mó】的较重要的因素,也是优化【huà】工艺时必【bì】须考虑的因素【sù】,目前射频功率【lǜ】新工艺射频功率【lǜ】为【wéi】;


6.等离子体的沉积方向

插【chā】片时硅片【piàn】载体【tǐ】被工艺点固定,在硅片和石墨舟片接触很紧密【mì】的情况【kuàng】下(即硅片【piàn】本身【shēn】不弯【wān】曲,插片不翘起),等离子基本上是【shì】垂直【zhí】撞击到【dào】硅片表【biǎo】面。

PECVD 膜的作用、简述膜的特性

1、氮化硅膜的减反原理

光照【zhào】射【shè】在硅【guī】片表【biǎo】面时,反射会使光损失约三分之一。如果在硅表面有【yǒu】一层或【huò】

多层合适的【de】薄膜,利用薄膜干【gàn】涉原理,可以【yǐ】使光的反射大为减【jiǎn】少,这种【zhǒng】膜称为太【tài】

阳电【diàn】池的减反射【shè】膜(ARC,antireflection coating)。

照射到硅片上的【de】光【guāng】因【yīn】为反射不能全部被硅【guī】吸收。反射百分【fèn】率的大小取决于硅【guī】

和外界透明介质的折射率。垂直入射时,硅片表面的反射率R 为:

在真空或大气中【zhōng】,如果硅表面没有减反【fǎn】射膜,长【zhǎng】波范围【wéi】(1.1μ m)入射光损【sǔn】失

总量的34%,短波范围(0.4 μ m)为54%。即使【shǐ】在硅表面【miàn】制作了【le】绒【róng】面,由于入射【shè】光产生【shēng】多次反【fǎn】射而增加了吸收,但也有约14%以上的反【fǎn】射损失。


如【rú】果在硅的表面制【zhì】备一层透明的介质膜,由【yóu】于介【jiè】质【zhì】膜的两个界面上的反【fǎn】射光

相互干涉,可以在很宽的波长【zhǎng】范围内降低反【fǎn】射率。此【cǐ】时反【fǎn】射率由下式给【gěi】出:


式中【zhōng】, r1、r2 分别是外界【jiè】介质一膜和【hé】膜一硅界面上的【de】菲涅尔反射系数;△为

膜层厚度引起的相位角。它们可分别表示为:


其中,n0, n 和ns:分别为外界【jiè】介质【zhì】、膜层和硅的折射率,λ 0 是【shì】入射【shè】光的【de】

波长,d 是膜层的厚度。

当波【bō】 长 为λ 0 的光垂直入射时【shí】,如果【guǒ】当nd= λ 0 /4 ,则【zé】由式


为【wéi】了使【shǐ】反射损失减到最小,即【jí】希望Rλ 0 =0, 应有:


硅的折射率nsi=3.9,n0=1 :


从裸露的硅【guī】表面和从【cóng】覆盖【gài】有折射【shè】率为1.9 和【hé】2.3 的减反射【shè】膜的硅表面反射

的正常入射光的百分比与波长的关系:


2、氮化硅膜的钝化效果

PECVD 沉积【jī】SixNy 薄膜有一定程度的表面损伤【shāng】,同时薄膜中有较高【gāo】含量【liàng】的氢,

容易和空位形成【chéng】氢一空位对【duì】{V. H}+。空位还【hái】能增强氢的扩散,使氢【qīng】与缺陷及晶【jīng】

界处的悬挂键【jiàn】结合,从而减【jiǎn】少界面态密【mì】度和复合中心。正【zhèng】电荷{V. H}+也改善了【le】

SixNy/Si 的界面状态。很多文献资料显【xiǎn】示【shì】,有效少【shǎo】数载流子【zǐ】寿【shòu】命和SixNy 膜【mó】中

的氢含量【liàng】由一【yī】定的关系【xì】。多数情况下【xià】,氢含量较高【gāo】,少【shǎo】子寿命也较大。但【dàn】沉积温度改变时有所不同,可能是温【wēn】度的升高更【gèng】有利于粒子的运动,使SixNy 膜中更【gèng】多的氢溢【yì】出,到达界面或进【jìn】入硅【guī】中,消除悬挂键的【de】活性【xìng】,从而【ér】获得更高的少子寿【shòu】命。

这样,薄膜中的氢含量有可能降低。

合适条件的后退【tuì】火【huǒ】能够进一步增强氢和氢一【yī】空位对{V. H}+的【de】扩散,从而降

低表【biǎo】面【miàn】复合速【sù】率,获【huò】得更好的【de】钝【dùn】化效果。但是退火温度过高时,SixNy 膜和硅中的氢都【dōu】会向外扩散溢出,使【shǐ】氢含量迅速减少,少子寿命急剧【jù】下【xià】降,钝化效果消失。

PECVD 沉积【jī】氮【dàn】化硅【guī】膜后,单晶硅少子寿命的提高主要【yào】是【shì】因为好的表面钝化【huà】。

对于多晶硅和【hé】其他低质量的硅片【piàn】(如硅带),因为体内具【jù】有【yǒu】大【dà】量的【de】空位、缺陷和【hé】晶界【jiè】等,除了表面钝【dùn】化效果。因此,低质【zhì】量硅片的氢钝化效果【guǒ】更明显。

3、氮化硅膜的抗干扰效果

氮化规的主要性质是【shì】对 H O 2 、O、Na、Al、Ga、In 等都具有极强【qiáng】的扩散阻

挡能力,使它成为一种较理想的保护电池的材料。

4、膜的特性


5、氮化硅颜色与厚度对照表:


管P常见的异常情况

边缘水纹


原因:因2#HF槽【cáo】吹干【gàn】效【xiào】果不佳,导致【zhì】正面边缘生产洛合物【wù】,再加【jiā】上碱洗【xǐ】不干净最终导致边缘【yuán】水纹;

解决:改善2#槽吹干效果,将碱槽浓度加大

2.红片

原因:(1).沉积时间过短;

(2).减薄量过低;

(3).石墨舟使用次数过多

(4).石墨舟预处理效果不佳

解决:(1).根据实际情况调整镀膜时间;

(2).根【gēn】据已【yǐ】镀膜完片子的情况,结合对应【yīng】的减【jiǎn】薄量,实时调【diào】整镀膜时间【jiān】;

(3).检查【chá】操作记录,确认舟已使用多少次,如【rú】果使用次【cì】数过多【duō】就要求员工将【jiāng】石【shí】墨【mò】舟作刻蚀处【chù】理

(4).对该石墨舟尽早做刻蚀处理

3.淡蓝

原因:(1).沉积时间过长;

(2).减薄量过高;

解决:(1). 根据实际情况调整镀膜时间;

(2).根据已镀【dù】膜完片子的情【qíng】况,结合对应的减薄量【liàng】,实【shí】时调整镀膜【mó】时间;

4.镀膜呈彩虹状

原因:弯曲片;

解决:对于弯曲片【piàn】,因Centrotherm工艺【yì】原【yuán】理【lǐ】所【suǒ】限,没有办法,所【suǒ】以弯曲片只能在平板机【jī】器上做;

5.石墨舟掉片子,如下图所示:


原因:员工上料不牢,在机内碎片;

解决:掉了一【yī】片,就导【dǎo】致【zhì】了上【shàng】面两片异常【cháng】片【piàn】,对于右边这片肯定是要返工的;而左边【biān】这片【piàn】,图中【zhōng】所【suǒ】看到的是硅片的背面,而它【tā】的正面是好的,所以员工常会将【jiāng】这【zhè】样的片子留下面,下面是这种片【piàn】子的电性能【néng】:


从上面的数据中可以【yǐ】看出,这样的【de】片子肯定是Jo片,所【suǒ】以【yǐ】这种【zhǒng】片子也是一定要返工【gōng】的;

6.异常色差,如下图所示:


原因:制绒槽的风刀堵住所致;

解决:更换风刀;

7.边缘色斑印,

如下图所示,镀膜后该区域依然较明显:


原因:(1).清洗间出来的片子吹不干;

(2).石英舟不干净;

解【jiě】决【jué】:(1).检查【chá】到底是什么原【yuán】因导【dǎo】致,是酸洗不【bú】脱水还是风刀吹不干导致,视实际情况【kuàng】解决;

(2).从上图【tú】可以看【kàn】出,边缘的色斑【bān】形状规则【zé】,是石英舟的支撑杆处出【chū】现的【de】,须跟踪【zōng】是【shì】哪个石英舟导致,将该石英舟停【tíng】用作清洗;

8.工艺圆点大

原因:石墨舟的固定点磨损过深导致

解决:让设备人员将石墨舟拆洗,更换石墨片;

平板部分

9.Roth&Rau的可控参数

(1). 压强0.2mbar~0.3mbar

温度350℃~400℃

微波功率2800W~3600W

SiH4(0sccm~2000sccm)和NH3(0sccm~2000sccm),SiH4和NH3总气流量控制在2000sccm,而NH3和【hé】SiH4的比率【lǜ】控制在2.9~3.6;

带速150cm/min~170 cm/min

上面这些参数是常规调整参【cān】数【shù】,可【kě】对【duì】单框整体的膜厚【hòu】和【hé】折射率进行控制;

(2).进料腔的加热时间,进料腔和出料【liào】腔冲NH3的时【shí】间和流量,进料腔、预热腔【qiāng】和【hé】工艺腔的【de】加热器的输出功【gōng】率,微波发【fā】生器的开关时间(基本【běn】没修【xiū】改过【guò】);

第二组这些参数主要是调整温度、压强和等离子体浓度的均匀性;

10.膜厚与折射率不匹配

原因:(1).工艺腔压强异常;

(2).总气流和气流比率超出界限;

(3).工艺腔严重漏气(具体参看15) ;

解【jiě】决:(1).检查工艺参数,是【shì】否【fǒu】被【bèi】在【zài】线修改,工艺【yì】腔的【de】压强【qiáng】基本都是0.25mbar,不能过低,比如不能小于0.2mbar,如果压强过低的话,膜的【de】折射率会【huì】很小1.8~1.9,且膜厚反而会偏厚;压强为0.1mbar时,电性能【néng】如下:


(2).也需检查工艺参数是否被修改,

11.石墨框有一边边缘或一道出现发红现象(沿进框方向)

原因:(1).石英管的使用时间

(2).工艺腔内掉片

(3).石英管【guǎn】因其【qí】它原【yuán】因导【dǎo】致其表面残留的氮化硅厚度不【bú】均,从而导【dǎo】致微波受到【dào】削减

(4).特气气孔堵塞

(5).实际微波功率偏低

解决:(1).如果是石英管已用时间过长,督促尽早更换石英管

(2).开腔将碎片去除

(3).更换石英管

(4).这种情况较难【nán】发【fā】现,所以只能督促设备人员在维护【hù】时,清理干【gàn】净,用直【zhí】径1mm左右【yòu】的器具将气【qì】孔清理;

(5).如(3).中说的,并不一定是微波功【gōng】率本身【shēn】偏低,但可以调整其解决已有的问题【tí】,如【rú】果是左【zuǒ】边偏红【hóng】的【de】话,可以适【shì】当提高右边微波的【de】功率;

12.机器导致掉片

原因:(1).如【rú】果是机【jī】器内部掉片【piàn】,内部压强差异导【dǎo】致的可能性更大,

(2).机器外部掉片,则原因主要是传输带不平整导致

(3).石墨框的钩子和档针变形也会导致

(4).员工放片不到位也会导致

措施:(1).检查各腔体【tǐ】单周期内的压强变化趋势,特别是四【sì】个【gè】腔门在【zài】开关前后的【de】压强【qiáng】变化【huà】

(2).让设备人员排除传输带问题

(3).跟踪确切是哪个框在特定位置掉片,将其停用;

(4).要求员工进框前,轻敲石墨框检查一下;

13.沿进框方向出现单【dān】框最前面2~3排或最后面【miàn】2~3排整体【tǐ】发红,如下图所示【shì】;

原【yuán】因:因预热腔或【huò】冷却腔传【chuán】动速度出现异常【cháng】,和工艺腔【qiāng】匹配出【chū】现问题;


解决【jué】:让设备人员将设【shè】备软【ruǎn】件重【chóng】新运行后即可解决【jué】;(属于软件问【wèn】题)

14.单框五道之间出现严重色差;

原因:工艺腔与外部连通,出现轻微漏气;

解决:开腔后会发现膜较厚的那道对应的【de】工艺腔的腔壁处【chù】也【yě】会【huì】有发白物质【zhì】,更【gèng】换石英【yīng】管;

也可【kě】以在电脑操作界面【miàn】上【shàng】确认各个腔体的漏气情况,先【xiān】将要【yào】确【què】认的腔体抽成【chéng】真空,然后将其处于待机状态,察看压【yā】强【qiáng】升高的速度,标【biāo】准是<0.0026mbar/min;

15.整框片子的膜颜色偏暗、发紫;


原因:工艺腔与外部连通,出现较严重的漏气;

解决:首【shǒu】先【xiān】从外观上看【kàn】,就【jiù】能发现很异常了,测试【shì】其膜厚和折射率会发现它们【men】之间不【bú】匹配,比如膜厚85而折射【shè】率【lǜ】只有1.8~1.9。出现这种情况一【yī】般是因石英【yīng】管的密【mì】封【fēng】圈损坏和【hé】石英管【guǎn】爆裂导致【zhì】,具体导致上面两个原因的【de】原因【yīn】有冷却水问题导致期间烧坏、石英【yīng】管【guǎn】使用时间过长、石英管质量【liàng】较差等等;


上【shàng】面【miàn】这张图片就是在石英管的密封圈【quān】烧坏【huài】后,腔盖的【de】外观,在第【dì】四根和第八根【gēn】石英管处明显【xiǎn】有【yǒu】发白的氧化硅类物质;


上面【miàn】的两张图片【piàn】是检验膜好坏较方便的方法【fǎ】,即用【yòng】酒精滴【dī】到膜上面,如果如左图【tú】所示【shì】,酒精下膜颜【yán】色【sè】变化不【bú】大【dà】的话【huà】说明膜的致密性还正常;如果膜有异常的话,颜色【sè】会变化很大,比如右【yòu】图都已经变为【wéi】硅本【běn】色了;

16.单片色差、单片发红或单片偏淡

原因:沉积时间、绒面差异导致;

解决:如【rú】果整【zhěng】框发红或偏淡,那么多【duō】数是沉积时【shí】间过短【duǎn】或过【guò】长所致;但如【rú】果是随机【jī】的某一位置【zhì】发【fā】红、偏淡或单【dān】片色差,则主要是片与片之【zhī】间或【huò】单片【piàn】的绒面【miàn】差异导致,且在镀膜前【qián】,仔细观察就可以看出绒面的差异;

17.卡框

原因:(1).碎片挡住传感器;

(2).传【chuán】输系统在手动模式下,各个马【mǎ】达【dá】就【jiù】不会按自【zì】动程序运【yùn】行了;

(3).出料腔的气压达不到要求;

(4).其它特殊异常情况,比如【rú】:冷却水停、加热器报【bào】警、微【wēi】波报【bào】警【jǐng】等【děng】;

(5).腔体之间的传感器匹配出现问题,

解【jiě】决【jué】:(1).如果碎【suì】片挡住传感【gǎn】器,传感【gǎn】器会处于常亮状态,这就需【xū】要设备【bèi】人员来

解决;

(2).出现卡框【kuàng】情况,自【zì】己先【xiān】检查一下传输系统是否在【zài】手动【dòng】模式下,如果是则将其切【qiē】换为自动模式;

(3).可【kě】能是出料【liào】腔的密【mì】封性不佳,让设【shè】备人员【yuán】检查出【chū】口出是否有【yǒu】碎片,有的话将其清理;

(4).这些特殊异常情况就需要联系设备、设施人员共同解决;

(5). 传【chuán】感器的匹配【pèi】问题属于软件问题【tí】,软件升级后就没有出现这个问题【tí】;

18.折射率低

原因:(1).NH3和SiH4流量比不恰当;

(2).工艺腔的压强过低;

(3).工艺腔的压强过高;

解决【jué】:(1).出现【xiàn】流量比不恰【qià】当的可能较【jiào】小,如果是这一部分【fèn】出现【xiàn】问题【tí】的【de】话,估计是特气的流量计或者特气的压力【lì】流【liú】量出现问题;

(2).如【rú】果工艺腔的压【yā】强【qiáng】低于【yú】0.2mbar后,压强对折【shé】射率的影响将会非常明显;

(3).这里说的工艺腔压强过高,主要是指工艺腔的情况;

19.如下图所示:


镀膜前 镀膜后

原因:硅片表面未吹干,有残留水液;

解决:调整风刀;

20.一种色斑,如下图所示:



原因:手指印;

解【jiě】决:目前主【zhǔ】要认为是清洗【xǐ】的【de】上下料和刻【kè】蚀的【de】上【shàng】下料,上【shàng】面的两张图片就是清洗下料手摸导致的,解决方法【fǎ】员工技能和员【yuán】工意识;

特殊气体的特性介绍

氨气 (NH3)

1、特性:

无【wú】色有刺激性恶臭的气体。易【yì】溶于水、乙醇、乙醚【mí】。主要用作【zuò】制【zhì】冷剂【jì】及【jí】制取【qǔ】氨盐和氮肥。

2、危险性

易【yì】燃,燃烧产物【wù】为氧化【huà】氮、氨。与空气混合【hé】能形成爆【bào】炸性混合物,若遇【yù】明火或高【gāo】热【rè】能引起燃烧爆【bào】炸。与氟、氯等能发生剧烈的化学反【fǎn】应。若遇【yù】高热,容器内【nèi】压增大,有开列【liè】和爆炸的危险。

低浓度氨对粘膜有刺激作用【yòng】,高浓度可造成组织【zhī】溶解性坏死【sǐ】,引起化【huà】学性肺炎及【jí】灼伤【shāng】。急性【xìng】中毒,轻【qīng】者表现为皮肤、粘膜刺激反应,出现鼻炎【yán】、咽【yān】炎、器官及支气管【guǎn】炎,可有【yǒu】角膜及皮肤灼伤。重度者出现喉头水肿,声音狭窄【zhǎi】,呼吸道粘【zhān】膜细胞脱【tuō】落,器【qì】官阻【zǔ】塞而【ér】窒息,可有中毒性肺【fèi】水肿【zhǒng】和肝损伤【shāng】。氨可引起【qǐ】发射性呼吸停止。如【rú】氨溅入眼内,可致晶体浑浊,角膜穿孔,甚至失明。

3、灭火方法

切断气源【yuán】。若不能立即切断气源【yuán】,则【zé】不允许熄灭正在燃烧的气体,喷【pēn】水冷却容【róng】器,可能的话将容【róng】器从火场【chǎng】移至空旷处【chù】。

4、储运注意事项

易【yì】燃、腐蚀性压【yā】缩气体。禁忌卤素、酰基【jī】氯,酸类【lèi】、氯仿,强【qiáng】氧化剂【jì】。储存于阴凉、干燥【zào】、通风处。远离【lí】火种、热源。防止阳光【guāng】直射。应【yīng】与卤素、酸【suān】类【lèi】等分开存放。罐【guàn】储时要有防火防暴技术措施【shī】。配备相应品种和数量的消防器【qì】材【cái】。禁止使用易【yì】产生火花【huā】的机械设备和工具。验收时要注意品名【míng】。注意验瓶日期,先进仓的先发用。槽【cáo】车运送时要罐装适量,不可超压超量运【yùn】输。搬【bān】运时轻装轻卸【xiè】,防止钢瓶及【jí】部【bù】件破坏。运输按规定路线【xiàn】行驶【shǐ】,中途不得【dé】停【tíng】驶。

5、急救措施

皮肤接触【chù】:立即【jí】脱去污【wū】染的衣着,用大【dà】量流动的清水彻【chè】底清洗。或用3%硼酸溶液冲洗【xǐ】。若有灼伤,就【jiù】医【yī】治疗。

眼睛接触:立即【jí】提起【qǐ】眼帘,用流动清水或生【shēng】理【lǐ】盐水冲洗至少15分钟。立即【jí】就医。

吸【xī】入:迅速脱离现场至空气新鲜处。保持【chí】呼吸【xī】道通【tōng】畅。呼吸困难时给输氧。呼吸停【tíng】止【zhǐ】时【shí】,立即进行人【rén】工呼吸。就医。

空气中【zhōng】浓度【dù】超标时,必须【xū】佩戴防毒【dú】口罩,戴化学【xué】安全防护【hù】眼【yǎn】睛,穿工作【zuò】服,必要时戴【dài】防护手套,紧急事态抢救或【huò】逃生时【shí】建议佩【pèi】带自给式呼吸器,工作现【xiàn】场【chǎng】禁止吸烟,进食和引水,工作【zuò】后淋浴更衣。保持良好【hǎo】的工作习惯。

甲硅烷(SIH4)

1、特性

无色气体,有恶臭。易溶于苯,四氯化碳。

2、危险性

遇明火、高热极易【yì】燃【rán】烧【shāo】,暴露在空气能自燃。与氟、氯等能发生剧【jù】烈的化学反应。吸入甲【jiǎ】烷蒸气【qì】后,引起头痛、头晕、发【fā】热、恶心、多汗,严重者面色苍白,脉搏微弱【ruò】,陷入半昏迷【mí】状【zhuàng】态【tài】。

3、灭火方法

切断【duàn】气源,若【ruò】立即不能切断气源,则不允许【xǔ】熄灭正在【zài】燃烧的气体,喷水冷【lěng】却容【róng】器,可【kě】能的话将容器【qì】从【cóng】火场移至空【kōng】旷处。灭火【huǒ】剂用二氧化【huà】碳。禁止用卤【lǔ】代烷灭火剂。

4、操作处置与存储

穿【chuān】戴一般防护用品【pǐn】。确保钢瓶、设【shè】备及管路【lù】严【yán】密不泄漏【lòu】。工【gōng】作间为甲类防火防暴单【dān】元,电气设施【shī】为防暴型【xíng】,严禁火种【zhǒng】入内,禁用易【yì】产生火花【huā】的机械及工具、通风良好、保持干【gàn】燥。遵【zūn】守【shǒu】气瓶安全检查规程有【yǒu】关规定【dìng】。存储于阴凉通【tōng】风仓【cāng】间内,远离火【huǒ】种、热源,钢【gāng】瓶温度不大于52℃,防止阳光直射,保【bǎo】持容器密【mì】封,应与氧化剂分开【kāi】存放【fàng】。存【cún】储间内的照明【míng】/通风等设施应采【cǎi】用防暴【bào】型,开关设【shè】在仓外。配备相应品种和数量的消防器材。禁【jìn】止使【shǐ】用易产生火花的机械设备和工具【jù】。禁止【zhǐ】撞击和震荡。搬运时轻装轻卸,防【fáng】止钢瓶【píng】及部件【jiàn】破坏。

5、泄露应急处理

迅速撤离泄露【lù】污染区,人员至上风处【chù】,并【bìng】隔离至【zhì】气体【tǐ】散去,切断火源【yuán】。建议应急【jí】处理人员戴自给正压式呼【hū】吸器,穿一【yī】般消防护符,切断气源,喷洒雾状水稀释、抽排(室内)或【huò】强力【lì】通风(室【shì】外【wài】)。如有【yǒu】可能,将残余气或漏出气【qì】用排风机【jī】送【sòng】至水洗塔或【huò】与塔相连的通风橱内,漏气容器不能再用,且要【yào】经过技【jì】术处理,以除【chú】去可【kě】能剩下的【de】气体。

工程控制:生产过程密闭。全面通风。

吸入:脱离【lí】现场【chǎng】至【zhì】空气新鲜处。保持【chí】呼吸道【dào】通畅。必要时进行人工呼【hū】吸。就【jiù】医。

呼吸系统防【fáng】护:空气【qì】中浓度超【chāo】标时【shí】,应佩带防毒口罩。必要【yào】时佩【pèi】带自给式呼吸【xī】器。

眼睛防护:一般不需特殊防护。高浓度接触时可戴安全防护眼镜。

手防护:一般不需特殊。

其它: 工作现场禁止吸烟。进入罐【guàn】或其【qí】它【tā】高浓度区作业,必【bì】须【xū】有【yǒu】人监护。