2018年光伏制造业前瞻：单晶、perc、半片

上周在【zài】北京PVCEC上，与很多【duō】企业做【zuò】了较深入的交流，对于光伏产【chǎn】业很【hěn】多历史【shǐ】性的大趋势有了【le】更多【duō】更【gèng】清晰的判【pàn】断，下两点判断【duàn】尤其坚定：

1、单晶+Perc的技术潮流势不可当。

2、在单晶崛起的历【lì】史【shǐ】背景【jǐng】下【xià】，半片【piàn】这样【yàng】的高效封装技术也将必然崛起。

一、单晶perc将成为市场主流

1单晶炉的技术和长晶工艺快速进步

一台【tái】单【dān】晶炉每月的产【chǎn】量由【yóu】五年前【qián】500kg/月提升到现在的2.7吨/月;据【jù】一家单晶【jīng】龙头企业介绍，他们有信【xìn】心在2018年时候，在不【bú】改【gǎi】变【biàn】单晶【jīng】炉本【běn】身，仅仅通过工艺提升进一步把单台单【dān】晶炉的月产【chǎn】能提【tí】升到3.1吨【dūn】/月，对应到硅片月产量会来【lái】到8MW。

同时，新增单【dān】晶产能都布【bù】局于电【diàn】价低廉的地区，更进一步大幅降低长晶成本。折算【suàn】下来1kg单晶【jīng】硅【guī】棒【bàng】的长晶成本【běn】由几年前的【de】100多元/kg下【xià】降到目前的【de】42元/kg(隆基股份水【shuǐ】平)，明年【nián】可进一步优化【huà】到【dào】35元/kg。可【kě】见，单晶【jīng】炉近些【xiē】年发生了【le】质的飞跃。反观近几年多晶【jīng】铸锭技术进步缓慢，近几年没有实质【zhì】性的提【tí】升。

2金刚线切割技术本质上更有利于单晶

单晶硅【guī】棒由于内部晶格序列一致，切割起来可以【yǐ】速度更快，耗材使用量更【gèng】少，而且切出来的单晶【jīng】硅片在厚端电池制绒环【huán】节【jiē】更加【jiā】容易，电【diàn】池片效率不受影【yǐng】响，而多晶硅片则【zé】需要叠加【jiā】黑硅技【jì】术或加入【rù】添加【jiā】剂(添加【jiā】剂成本【běn】低，但电池效率【lǜ】略下滑)，每【měi】片硅片的湿法黑硅【guī】过程需要额外增【zēng】加0.2~0.3元的成本【běn】，干【gàn】法黑硅则需【xū】要增加0.4元【yuán】的成本。因此，金刚线切割带【dài】来的【de】出片量【liàng】的提升，也更能有效的摊【tān】低单晶长晶环节的高成本。

表：单多晶金刚线切割的对比

多晶应【yīng】用【yòng】金刚【gāng】线切割是今年才大规模应用【yòng】推广【guǎng】的，保利协鑫有更【gèng】大的【de】优化空间，但是【shì】由于基础原理的不同，在【zài】金刚线【xiàn】切割环节【jiē】，多晶硅片【piàn】的切片成本无论【lùn】怎么优化【huà】，成本都必然要比单晶【jīng】硅片高出一大截。

3perc技术更有利于单晶硅片

perc叠加于单晶硅片【piàn】能明显【xiǎn】带来更好的效果【guǒ】。perc+单【dān】晶硅片可【kě】以带来1.2%的效率提升;而perc+多晶硅片目前【qián】只能带【dài】来0.8%的效【xiào】率【lǜ】提升【shēng】。晶澳【ào】太【tài】阳能的“多晶+干法【fǎ】黑硅+perc”的60片电池组件最高功【gōng】率能做到【dào】290W;而“单【dān】晶+perc”组件功率可以做到305W。

　　图：北京pvcec晶澳太阳能的展台

多晶即便是【shì】叠加了【le】最优秀【xiù】的干法【fǎ】黑硅技术(干法黑硅每张硅片需额外增加成【chéng】本【běn】0.4元【yuán】，金刚线切割带【dài】来的成【chéng】本下【xià】降【jiàng】优【yōu】势被【bèi】吞噬大半)，功率也才仅【jǐn】为290W，而单晶直接叠【dié】加perc技【jì】术就可以把功率做到305W，后端电池制绒成本更低且单多晶组件【jiàn】的功率差【chà】已经【jīng】越来【lái】越大。

事实上【shàng】，不仅perc技【jì】术在单晶上能带来【lái】更好的【de】效果【guǒ】，其他技术创新【xīn】在单晶硅片上应【yīng】用的【de】效果也更好。这就好比一个【gè】孩子【zǐ】，单晶在【zài】出【chū】生的时【shí】候身体底子好，所以后面叠加各项【xiàng】新技【jì】术就【jiù】更容【róng】易且效【xiào】果更【gèng】好。而多晶硅片在出生【shēng】阶段为了省钱就比较【jiào】粗放，身体底子差，所【suǒ】以后端叠加的各项新技术应【yīng】用起来效果就差【chà】。这种差距是从这张硅片【piàn】诞生之初就留【liú】下的。后【hòu】天再怎么弥补(黑硅技术本质上【shàng】就是【shì】一种弥补策略)，效果【guǒ】都不佳。如【rú】果到了这个时候，还【hái】对单【dān】多晶这种未【wèi】来竞争格局看不清而【ér】拼命投【tóu】资铸锭产能和黑硅技术，还希望抱【bào】残守缺挽【wǎn】救自己的多【duō】晶炉，那只【zhī】能是自讨苦吃。

然而，单晶硅片明【míng】年日子【zǐ】并不会比【bǐ】今年好过。2017年应【yīng】该【gāi】是单晶【jīng】硅片的毛利【lì】率峰值!

明年硅片【piàn】产能必【bì】然会【huì】大于市【shì】场需【xū】求，一大批多晶硅片产能面临【lín】出清，多晶硅片【piàn】的【de】价格必然会【huì】滑落【luò】到某些【xiē】边际【jì】成本高的厂家的现【xiàn】金【jīn】成本。简而言之：明年多晶硅片会以【yǐ】现金成本迎战【zhàn】单晶硅片，虽然单晶硅片依然会保持【chí】一定【dìng】的毛利润，但是我【wǒ】敢断言：今年就是单晶硅片的毛【máo】利率【lǜ】峰值!

4单多晶组件性价比的比较

单晶组件由于功率【lǜ】更高，在电站建设【shè】安装的【de】过程中可以节省BOS成【chéng】本。很多【duō】我走访过的电站，他【tā】们给出的【de】结论也直观【guān】朴素【sù】：

就目【mù】前10W~15W的【de】功率差，单晶每【měi】瓦贵0.1~0.15元是合理的【de】，

如【rú】果单【dān】晶组件比多【duō】晶组件贵的幅度超过【guò】0.15元，那就选择【zé】多晶组件;

但是【shì】如【rú】果单晶组件只比【bǐ】多晶组件【jiàn】贵<0.1元，由于单【dān】晶后端【duān】BOS成本可以带来【lái】更多节省，所以必然【rán】要【yào】选择单晶。

一块【kuài】60片【piàn】标准光伏电池组件，在【zài】电站建设过程中的运输、安装、土地、支【zhī】架【jià】、线【xiàn】缆成本是一致的【de】。除了以上这些直接【jiē】成本【běn】，电站建设还【hái】会【huì】有选址、设计、报备、入网、管理【lǐ】、运【yùn】维等间【jiān】接成【chéng】本需要分摊;对于正在崛起的【de】分布【bù】式【shì】电站，还需【xū】要额外的销售成【chéng】本、渠道【dào】成本需要分摊在电【diàn】站建设成本中。以上这些成本可以统称为BOS成本。

近些年随着组件自身价【jià】格不断下滑【huá】，电站【zhàn】建设的BOS成本占【zhàn】比越来越【yuè】高，尤其对于分布式【shì】电站，由于【yú】单【dān】个项目装【zhuāng】机容量小，所【suǒ】以1W装机容量要【yào】分摊更多的间接费用，导致BOS成本占【zhàn】比甚至要高达55%。所以要想测算不同功率组【zǔ】件的合理【lǐ】价差【chà】，首先要对BOS成【chéng】本【běn】进行估算【suàn】。

根据我对下游电站的走访情况，我得到如下数据。

表：60片标准组件的BOS成本估算