单晶硅【guī】片具有准金【jīn】属的物理性质，有较弱的导电性，其【qí】电【diàn】导率【lǜ】随温度的升高而增加；有显着的【de】半导电性。在【zài】超【chāo】纯【chún】单晶硅片中掺入微量的硼可提高其导电的程度，而形成P型硅片半导体；如掺入【rù】微量的【de】磷或【huò】砷也可提高导电程度，形成N型【xíng】硅【guī】片【piàn】半【bàn】导体。那么，P型硅片和【hé】N型硅片有哪些【xiē】区别？
P型和N型单晶硅片的区别主要有以下三点：
1、掺杂的东西不同：单晶硅中掺磷是N型，单晶硅中掺硼为P型。
2、导电不同：N型是电子导电，P型是空穴导电。
3、性能不【bú】同【tóng】：N型掺磷越多则自由【yóu】电【diàn】子越多，导【dǎo】电【diàn】能【néng】力越强，电阻率【lǜ】就越低。P型【xíng】掺硼越多则能【néng】置换硅产生【shēng】的空穴也越多，导电能力越强【qiáng】，电阻率就越低【dī】。
目【mù】前光伏行业主流产品是P型硅【guī】片，P型硅片【piàn】制作工艺简单，成本较低，N型硅【guī】片通常少子【zǐ】寿【shòu】命较大，电池【chí】效率可以做得更高，但是工艺更加复杂。N型硅片掺磷元素，磷【lín】与硅【guī】相溶性【xìng】差，拉棒时磷分【fèn】布不均，P型硅片掺硼元【yuán】素，硼与【yǔ】硅【guī】分凝系数相【xiàng】当，分散【sàn】均匀度容易控制【zhì】。
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