这两天【tiān】多人【rén】问【wèn】我“我国的硅片产能【néng】已经如此之大，为什么大企业还疯狂扩产？难【nán】道连我们都【dōu】看到的【de】产能【néng】过剩，那些大【dà】企业的【de】决策者看不【bú】到【dào】？”
我曾经也有类似的疑惑，后来发现：扩产的背后，是新技术迭代的推动！
新增产能，都【dōu】是采【cǎi】用新技术，以更便宜【yí】的价格，生产出更优质的产品，在市场【chǎng】更具【jù】有【yǒu】竞争力。如果自己不上采用新技术【shù】的产【chǎn】能，那【nà】旧产【chǎn】能的产品无市场竞争力，就【jiù】会被【bèi】其他企业革命；与其等【děng】别人革命，还不【bú】如自我革命！
之【zhī】前，我们【men】只听说单晶硅、多晶【jīng】硅【guī】；现在【zài】，市【shì】场涌现一大堆新名词：perc、半片【piàn】、MBB、MWT、叠瓦、双面......
在新技术迭代大潮的裹挟下，上新技术的产能是必须的。我相信，这是大多数企业扩产能的根本原因。因此，作【zuò】为技术【shù】迭代如此之【zhī】快的高科【kē】技产【chǎn】业，光伏制造【zào】业必【bì】须保持较【jiào】高的利润率，否则将无资金【jīn】支持如此快速的技术【shù】革新。
一、不同技术路线的主流功率及产能情况
2017年，已经成熟或即将成熟的几项提升效率【lǜ】的【de】技【jì】术分别【bié】为Perc技【jì】术、半片技术【shù】、MBB多主栅【shān】技术。理【lǐ】论上来【lái】讲【jiǎng】，这几项技术都是兼容性技术【shù】，既可以使用【yòng】在单【dān】晶硅片上，也可以应用【yòng】在多晶硅【guī】片上，但【dàn】叠加效果不同。
传统【tǒng】普通多【duō】晶组【zǔ】件【jiàn】功率为【wéi】270W，普【pǔ】通单晶【jīng】组件功率为285W，功率差为15W；当各自叠加一系列新技术【shù】以后，功【gōng】率差会进一步拉大。2018年各种技术路线的组件功率分布如表1所示：
1）添加剂黑硅
当【dāng】前多晶【jīng】应用【yòng】金刚片以后，主要采用添加剂技术来解决反射率过高【gāo】的问【wèn】题，所以明【míng】年多晶组件的出货的【de】主【zhǔ】要功【gōng】率均为270~275W之间的产品【pǐn】，产能可以高达40GW以上。
2）湿法黑硅
干法黑硅技术【shù】路【lù】线储备很久，但是成本下【xià】不来（每片【piàn】成【chéng】本＞0.3元），干法黑硅【guī】这一【yī】技术【shù】路线很可能面临【lín】淘汰的【de】命运；保利协【xié】鑫主推的湿法黑硅技【jì】术随着新一代【dài】TS+黑硅工艺的推出，成本大【dà】幅下降【jiàng】的同时性能又有所提升，主流功【gōng】率应该在275W。今年黑【hēi】硅设备扩张很【hěn】快，各个厂家黑硅设备已经突破200台，对【duì】应总【zǒng】产能【néng】超过【guò】16GW。
3）普通单晶组件
普通单晶组件的功率可达到285W，产能将达到30GW。
4）Perc电池技术
Perc电池技术是一种【zhǒng】兼容性【xìng】技术，既可以用在多晶【jīng】硅片上【shàng】，也可以用在单晶【jīng】硅【guī】片上。单晶perc电池普遍【biàn】功率提升【shēng】在20W左右【yòu】；而多晶硅【guī】片叠加Perc技术以后，则只能提升15W左右【yòu】，而且目前还有衰【shuāi】减的问【wèn】题没有有效【xiào】解决。因此新增Perc电池产能明显青睐于选择单晶硅【guī】片。
2018年，单晶perc组件产【chǎn】能将达到【dào】30GW；用黑【hēi】硅技术处【chù】理后的多【duō】晶perc组件产能将达【dá】到5GW。
5）N型组件
2017年，N型组件的技术和产业化也得到了较大的进步。“N型+pert+半片”可使组件功率达到320W，2018年产能预计为2~3GW；“N型+叠瓦” 可使组件功率达到330W以上，2018年产能预计为1GW以内；
6）小结
通过上述分析可【kě】以看到【dào】，半片、Perc、多主栅等【děng】技【jì】术叠【dié】加在单晶硅片上能带来更加明【míng】显的提升。当各自叠加一系列新技术以【yǐ】后，多晶组件功率可【kě】以做到300W，单【dān】晶组件功率会达【dá】到330W，叠加一系列新【xīn】技【jì】术以后单、多【duō】晶组件的【de】功率差【chà】会拉大到30W。
单晶硅【guī】片的产能在2017农历年年底前就【jiù】会达到38GW；半片、MBB多主栅【shān】等技术刚【gāng】开始【shǐ】流行，产能远小【xiǎo】于单晶硅【guī】片产【chǎn】能。
鉴于新技术【shù】叠加效果更【gèng】好，只要单【dān】、多晶硅片能保持【chí】合理【lǐ】价【jià】差，拥有最新最先进Perc、半【bàn】片、多主栅【shān】产【chǎn】能的厂【chǎng】家会【huì】优先【xiān】选用单晶硅片。而300W的多晶【jīng】黑硅Perc+半片+多主栅组件可能只会存在【zài】于理论当中，现实中不会有厂家把【bǎ】一系【xì】列【liè】先进产能叠加于效果【guǒ】不佳的多晶【jīng】硅片【piàn】上。
二、新技术可以减少隐裂产生
隐裂之所以产生是由于：
1）生产、运输、安【ān】装、清洗、降【jiàng】冰雹等过程中对【duì】组件施【shī】加的不均匀外力。
2）组件正面光伏玻璃【lí】和背【bèi】面【miàn】背板【bǎn】采用不同材质，温度系数不同，因此热胀冷缩的【de】过程中【zhōng】对【duì】电池片【piàn】正反面产生不同【tóng】应力。
3）电池【chí】片【piàn】正【zhèng】面的银浆焊【hàn】带处工作温度低【dī】，电池片自身温度不同导【dǎo】致隐裂。
单【dān】晶由于【yú】内部【bù】晶格序列【liè】一致，容易沿【yán】着某些特定【dìng】方向产生连续【xù】、贯通式的裂纹，相较于多【duō】晶组件，单晶组件在生产【chǎn】、运输、安装的过【guò】程中【zhōng】产生【shēng】隐裂的概率更高。
几项新技术应用于单晶硅片上都有利于解决隐裂问题。
1）半片技术
半片技术是【shì】把电池片对切，把一【yī】张电池片【piàn】一分为【wéi】二然后进行封装的【de】技【jì】术。原先的60片组件实际【jì】上【shàng】是封装了120片“半片电池片”单【dān】元。由于单张电池片【piàn】面积小了【le】一半，单晶【jīng】硅片【piàn】容易产【chǎn】生的贯穿式裂【liè】纹所【suǒ】波及的范【fàn】围也【yě】对应减少；组【zǔ】件【jiàn】产生【shēng】的变形时对于单张电池片的累【lèi】积变形【xíng】量也会减少。根【gēn】据晶澳披露【lù】的数据，单【dān】晶半片组件在同等强度的破【pò】坏力作用下【xià】，比常规【guī】组件的隐裂纹少【shǎo】15%左右。
2）双玻技术
双玻【bō】技术是【shì】正反面【miàn】均采用玻璃封装【zhuāng】的组【zǔ】件【jiàn】封装技术，由于正【zhèng】反面均采【cǎi】用玻璃【lí】材【cái】质，温【wēn】度变化【huà】所【suǒ】导【dǎo】致的热胀冷缩的变化【huà】一致，被封装在其中的电池片正反面的应力一【yī】致，能有效减少温度【dù】变化所引发的隐裂。
3）MBB多主栅技术
现在常【cháng】规电池【chí】片多【duō】采用4~5主栅的技术，而【ér】多主【zhǔ】栅技术【shù】使得单张电池片上的主栅数量达【dá】到【dào】12条；与之相对【duì】应，单条主栅的【de】宽【kuān】度只【zhī】有常规电池片的三分【fèn】之一，栅线遮挡【dǎng】不会使得栅线背【bèi】面的温度【dù】明显偏【piān】低【dī】。电池【chí】片更【gèng】均衡的温度减【jiǎn】少【shǎo】隐裂的发生。除此之【zhī】外【wài】，多主栅技术有利于电池片上的电流搜集，所以即便产生细微隐裂【liè】，在多主栅技术的帮助下，也不会明显影响光伏电【diàn】池效【xiào】率【lǜ】。所【suǒ】以MBB多【duō】主栅【shān】技术【shù】在降低产生隐裂几率的同时也提升电池片对隐裂【liè】发生的容【róng】忍度。
来源：三钱二两
